桌上型成像儀在本行業中通常指桌上型掩模對準曝光機，是微納加工黃光工藝中將掩模版圖案通過紫外光接觸式或接近式曝光轉移到涂敷光刻膠基片上的核心設備。它由紫外曝光光源系統（含汞燈或LEDUV源、濾光片、蠅眼勻光器）、高精度XYθ對準工作臺（帶真空吸附載片與掩模夾具）、分離視場顯微鏡對準觀測系統、氣動/手動壓合機構及安全互鎖系統組成。桌上型成像儀可在軟接觸、硬接觸、真空接觸或接近式多種模式下工作，典型分辨率可達0.5–2μm（依光學系統、間隙及光刻膠而定），適用于高校微電子、MEMS、微流控、傳感器及光子器件研發的單次或少量光刻圖形化需求。
 

　　工作原理桌上型成像儀（掩模對準曝光機）的工作原理基于紫外光透過/反射掩模版使光刻膠發生光化學反應+精密機械對準定位，流程如下：

　　1.掩模與基片裝載：將涂膠后待曝光的基片置于底部載片臺真空吸盤上吸附固定；掩模版（鉻版或蘇打玻璃版，有圖形面朝下）夾于上方掩模夾具（可翻轉取放），掩模版與基片間保持可調間隙。

　　2.顯微對準：通過雙分離視場顯微鏡（或CCD攝像系統）分別觀察掩模版對準標記與基片預對準標記，操作X/Y/θ微動旋鈕（手動或電動，分辨率可達0.5μm或0.1μm級）使兩者標記重合，完成層間對準。機型具備存儲上次對準位置、自動找平功能。

　　3.間隙設定與壓合：對準完成后設定曝光間隙——接近式保留數μm～100+μm間隙不接觸以防損傷掩模；接觸式則將掩模與基片輕柔接觸（軟接觸）或施力壓合（硬接觸），真空接觸模式在壓合同時抽吸掩模與基片間微量氣體進一步提升貼合度與分辨率。

　　4.紫外曝光（Exposure）：汞燈（或UV-LED）發出的紫外光經集光鏡、干涉濾光片（可選G線365nm、H線405nm、I線436nm單色或全波i-line+g-line組合）及蠅眼透鏡陣列（Fly'sEyeLens）勻化后，垂直入射掩模版。透光區紫外光穿過掩模透明區域照射到光刻膠上使其發生光化學交聯或斷鏈反應，不透光鉻圖形區阻擋光線。曝光劑量（mJ/cm²）=光強（mW/cm²）×曝光時間，通過積分光強計或定時器控制。

　　5.卸片與后續工藝：曝光結束載片臺下降/分開，取出基片送顯影工序；掩模版可在不取下情況下連續對下一片基片重復對準—曝光循環（同版多片情形）。

　　整個系統通常配防震調整腳或置于獨立氣浮防震臺上，減小外界振動引起的對準漂移；紫外燈室有獨立散熱風扇與過熱保護，腔體設安全互鎖防止意外紫外灼傷。

　　選購指南在選購桌上型成像儀（掩模對準曝光機）時，建議重點考察以下技術指標與配置適配性：

　　1.曝光面積與基片兼容：確認最大可曝基片尺寸（常見4″、6″圓片或100×100mm方片，少數支持8″），掩模版支持尺寸（通常同步或略大于基片，如5″×5″、7″×7″），是否提供碎片/小片專用夾具。

　　2.光源類型與波長：傳統高壓汞燈全覆蓋i-line/g-line/h-line適合通用研發；若只做365nmi-line可選手汞燈+濾光片或365nmUV-LED光源（壽命長、低熱、即開即用無需預熱）。關注曝光面不均勻性指標（≤±3%～±5%@Ø100mm常見）。

　　3.對準精度與顯微鏡系統：對準精度標稱多數為±0.5～±1μm（依操作者經驗與顯微鏡倍率），X/Y行程±3～±6mm，θ角±3°～±5°；顯微鏡建議選雙CCD分離視場+監視器顯示，放大倍率連續可調（如90×–600×），便于精細對準觀察。

　　4.曝光模式與間隙控制：確認支持軟/硬/真空接觸及接近式間隙設定（手動測微或電動Z軸），真空接觸對有亞微米對準需求有價值；接近式間隙最小值與分辨率、掩模壽命需權衡。

　　5.劑量控制方式：簡易型用定時曝光，推薦選配積分光強探測器（UV-meter）實時監測光強衰減并自動補償曝光時間維持恒定劑量，利于長期工藝穩定。

　　6.安全與人體工程：必須具備門開切斷UV照射、急停按鈕、UV防護視窗/護目鏡標配；考慮手動上片高度與操作習慣，部分機型提供前置或側置裝卸口。

　　7.環境配套要求：建議放置于Class100–1000級局部潔凈環境或黃光區，配無油真空泵（≥0.08MPa）、潔凈壓縮空氣（0.4–0.6MPa，除水除油）、220VAC電源；對分辨率要求高者建議配獨立防震臺。

　　8.耗材與服務：掩模版夾具、真空吸盤為易耗件需確認可單獨訂購；問詢廠家是否提供波長標定、對準重復性驗證指導及定期燈管/LED光源更換服務。

　　桌上型成像儀是黃光工藝中"把圖案印上去"的決定性裝備，結合您研究的最小線寬目標（決定所需對準精度與接觸模式）、常用基片尺寸及是否需i-line/g-line雙波長，再對照上述光學與機械指標選型，可為微納加工實驗室奠定可靠的圖形化基礎。